1. 独自製造技術の卓越性

1.1 超高純度原料合成

• 原料選定：99.99% 電融シリカと黒鉛化石油コークスの精密配合

• 化学量論制御：Si/C比 ±0.05% 公差達成（業界最高精度）

• 次世代アチソン法：特許取得AI温度制御炉（2,450℃）によるβ-SiC発生防止

• ▶︎ α相結晶化率100%保証

1.2 精密加工技術

• 極低温粉砕：-196℃クリオジェニック処理で微細クラックを抑制（欠陥密度<0.5μm）

• 5段階高純度化：フッ酸洗浄による金属不純物<50ppm（SEMI F81規格超越）

1.3 粒子設計工学

• レーザー粒度分級：F12-F3000グリット範囲で±2%の粒度均一性（ISO 13320準拠）

• 表面改質技術：プラズマ処理で複合材料への接着性を40%向上

2.1 極限性能パラメータ

熱管理性能

▶ 熱伝導率120W/m·K（アルミナ比300%向上）
▶ EVインバーターで15kW/cm²電力密度を実現

機械的特性

▶ ビッカース硬度28GPa × 破壊靭性4.6MPa·√m
▶ 研磨工具寿命60%延伸を保証

化学的耐性

▶ pH1-13環境で構造安定性を維持
▶ 500時間腐食試験後質量損失<0.01%

2.2 国際認証データ

• ▶ UL94 V-0 難燃認証

• ▶ RoHS 3.0適合（重金属含有量0.009%）

• ▶ ISO185:2024 曲げ強度550MPa

3.1 エネルギー革命

• 太陽電池ウェハ切削：ダイヤモンドコートSiCワイヤーでケーフ幅0.12mm達成
  → シリコン廃棄量33%削減

• EVパワーモジュール：熱抵抗1.74W/cm·KのDBC基板で800Vシステム対応

3.2 航空宇宙突破

• 極超音速耐熱：SiC-CMC部材が2200℃再突入温度に耐え
  侵食率0.03mm/サイクル

• タービンコーティング：プラズマ溶射層で1500℃酸化耐性70%向上

3.3 半導体最前線

• 5G基地局RFチップ：GaN-on-SiCで28GHz時挿入損失40%低減

• 量子コンピューティング：窒素空孔<5ppbの6H-SiC基板でスピン量子ビット安定化Chapter 4: Technical Selection Guidelines

4.1 材料グレード最適化

グリーンカーボランダム（純度99.8%）

▶ 精密光学研磨（Ra 0.2-0.5nm）
▶ 半導体CMPスラリー向け

ブラックカーボランダム（純度98.5%）

▶ コスト効率に優れた噴射研磨材
▶ 耐火物生産用基材

4.2 粒子設計工学

• 粗粒域（F12-F80）：風力発電基部表面処理（SA 3.0清浄度達成）

• 微粉末（F800-F3000）：歯科用CAD/CAM加工（5μm位置決め精度対応）

4.3 カスタムソリューション

ホウ素ドープSiC

原子炉遮蔽材向け中性子吸収性能強化

SiC-Si3N4複合材

溶融金属処理用耐熱コンポーネント

5.1 環境革新

閉ループ生産

特許ガス循環システムでCO2排出92%削減

循環型経済

使用済み研磨材78%再利用率達成

再生エネルギー

太陽光式アーク炉でScope2排出65%削減

技術支援エコシステム

デジタルツインプラットフォーム

AR対応プロセスシミュレーションによる最適化設計

国際認証ネットワーク

世界18ヶ国認定機関による即時試験対応

共同研究開発

フラウンホーファー研究所/MIT.nanoとの戦的提携

梱包と配送

1トン/25kgの織りビニール袋、25kgの紙袋、そしてトン袋包装をご提供いたします。

当社の研磨製品はすべて、保管・輸送中に丁寧に加工され、元の状態の品質を維持しています。