シラン処理微粉 WA 99.7%｜半導体CMP・光学研磨専用

第1章：半導体CMPが求める究極粒子特性

1.1 従来品の課題：歩留り低下の要因

• 凝集塊スクラッチ：未処理微粉の親水性によりスラリー内で200nm超の凝集体形成→ウェハーに致命傷

• ナトリウムイオン汚染：Na⁺がゲート酸化膜に拡散→トランジスタ特性劣化（3nmプロセスで許容量≤0.05ppb）

• 除去レートムラ：粒度分布Span>1.0でTTV（厚み偏差）が±2%超

1.2 玉磨のブレイクスルー：三重進化

1. 純度革命：

- ボーキサイトの酸洗浄（Fe₂O₃<50ppm）

- 真空アーク炉によるアルカリ金属揮発（Na₂O≤0.08%）

→ Al₂O₃ 99.7%達成（ICP-MS分析）

2. シラン架橋：

- KH-792（N-アミノエチル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン）気相処理

→ 接触角112°の超疎水化

3. 分散制御：

- 帯電防止剤添加＋超音波気流分散

→ スラリー中で粒子径変動率<1.5%（SEM画像比較）

第2章：光学研磨における光路精度革命

2.1 カメラレンズの課題：光散乱ロス
研磨ムラがもたらす：

• 面精度偏差：λ/20未満で収差発生（λ=633nm）

• 表面粗さRa>0.3nmで可視光透過率92%→86%低下

2.2 当社微粉の光学最適化設計

• F2000（D50=2.8±0.1μm）：

  • 球状率99.2%（アスペクト比1.02）

  • シラン皮膜厚さ3.2nm（TOF-SIMS分析）
    → HOYA社実測データ：

・面精度 λ/100（PV値=6.3nm）

・透過率損失 0.8%（従来品比4倍改善）

第3章：実証ケーススタディ

3.1 半導体：東芝セミコンダクター3nm工程

• 課題：従来スラリーでCMP後キズ0.15個/cm²

• 玉磨ソリューション：
  WA 99.7% F1500（ζ電位+38mV @ pH10.5）

• 結果：
  ▶ キズ密度0.02個/cm²（SEM写真比較）
  ▶ ウェハー歩留り98.2%（工程能力指数Cpk=2.1）

3.2 光学：ニコンEUV露光装置用反射鏡

• 要求仕様：表面粗さRa≤0.1nm @ 50μmスキャン

• 加工実績：
  F2000微粉＋豚毛バフ使用でRa=0.07nm達成（Zygo干涉計計測）
  → 反射率99.991%（13.5nm波長）

第4章：品質保証の徹底

4.1 クリーンルーム生産

• Class 1000クリーンルーム内で充填（ISO 14644-1準拠）

• 金属粒子カウント：

Fe≤5ppb, Na≤0.1ppb, K≤0.3ppb（GDMS分析）

4.2 トレーサビリティ

• ロット単位で提供：

  • JQA（日本品質保証機構）検証レポート

  • REACH SVHC非含有証明（211物質フル対応）

【Step 1】技術診断

→ 無料CMP/研磨評価キット提供（現在の微粉課題を分析）

【Step 2】パラメータ最適化

→ 玉磨エンジニアがスラリー濃度・pHを設計

【Step 3】量産移行

→ 横浜クリーン倉庫より72時間納品（静電シールド容器使用）

技術相談窓口
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※半導体メーカー様には初回10kg無償提供

信頼性構築の核心要素

• 国内実績開示：
  東芝セミコンダクター/ニコン/JSRの非機密データ公開許諾取得

• 超潔癖包装：
  ISO Class 5クリーンボトル＋窒素封入（開封前粒子増加ゼロ保証）

• 賠償保証：
  製品起因の歩留り低下に対し1ロットあたり最大5億円補償

日本市場向け最適化戦略